Kesan jumlah pengionan dos pada transistor simpang dwi-kutub

Teh, Chap Ho (2010) Kesan jumlah pengionan dos pada transistor simpang dwi-kutub. Universiti Malaysia Sabah. (Unpublished)

[img]
Preview
Text
ae0000002984.pdf

Download (9MB) | Preview

Abstract

Kajian ini dijalankan mengenal pasti tindak balas peranti semikonduktor terhadap rintangan. Data-data daripada kajian ini boleh menjadi rujukan untuk memperkembangkan system elektronik pada masa kini. Ini adalah sangat penting dalam pengurangan kesan radiasi terhadap system elektronik yang perlu berfungsi dalam keadaan sekeliling yang bersinaran tinggi dan dapat menanjangkan tempoh hayat sistem tersebut.Dua jenis sumber radiasi yang utama digunakan dalam pengujian ini, iaitu sinar gam a kobalt-60 dan sumber sinar X. Prosedur ujian yang diaplikasikan dalam penyelidikan ini ialah MIL-STD-883, kaedah 1019- Sinaran pengionan(Jumlah Dosis). Sampel yang diradiasikan dalam kamar radiasi atau bekas pada satu titik tetap untuk memastikan pemalar kadar dos sepanjang pengujian ini.Proses ini amat penting kerana perubahan yang keeil dalam kadar dos akan membawa perubahan yang jelas terhadap alat-alat yang diradiasikan. Dalam kajian ini, terdapat dua jenis ujian yang akan dijalankan. Bagi ujian yang pertama, semua alat itu diawasi di keadaan operasi di mana alat-alat itu adalah disimpan kecenderungan semasa proses radiasi. Manakala dalam ujian kedua pula mengandungi keadaan tidak beroperasi di mana alat-alat itu adalah diradiasikan pada keadaan tutup( Off Mode). Perubahan-perubahan dalam parameter diperhatikan selepas proses radiasi. Alat-alat BIT digunakan dalam ujian ini adalah NPN 2N3904 dan parameter VcE, VBC dan VBE adalah diawasi pada arus masukan 5 mA, 10 mA, 15 mA dan 20 mA. Tambahan lagi, hFE bagi transistor diukur sebelum radiasi dan juga selepas radiasi. Daripada keputusan kajian ini, didapati sebab-sebab perubahan arus tapak dan arus pengumpul daripada radiasi sinaran gama adalah lebih kurang sama dengan radiasi sinaran X. Tetapi kesan daripada sinaran X adalah lebih kurang berbanding dengan sinaran gama. Ini adalah disebabkan sinar X tidak mempunyai kesan penyebaran Kompton( Compton Scattering Effect). selain itu, sinaran X merupakan spektrum selanjar. Parameter 5mA menunjukkan kesan yang paling jelas berbanding dengan parameter yang lain.

Item Type: Academic Exercise
Uncontrolled Keywords: radiation, electronics device, resistance, damaging effect
Subjects: Q Science > QC Physics
Divisions: SCHOOL > School of Science and Technology
Depositing User: Unnamed user with email storage.bpmlib@ums.edu.my
Date Deposited: 14 Jul 2016 02:09
Last Modified: 20 Nov 2017 03:33
URI: http://eprints.ums.edu.my/id/eprint/13593

Actions (login required)

View Item View Item