Comparison of the mobility models in mosfet

Rosman Lalete, (2006) Comparison of the mobility models in mosfet. Universiti Malaysia Sabah. (Unpublished)

[img]
Preview
Text
ae0000001421.pdf

Download (1MB) | Preview

Abstract

Low Field Mobility dan Inversion Layer Mobility Model adalah antara jenis-jenis mobility model yang terdapat dalam perisian Technology Computer Aided Design ataupun dikenali sebagai TCAD. Di dalam tesis ini, perbandingan dan pengkajian telah dilakukan terhadap kedua-dua jenis mobility model ini. Program ATLAS digunakan untuk melakukan proses simulasi untuk memperolehi keputusan bagi setiap perbandingan parameter yang dibuat. Perbandingan yang dibuat adalah tertumpu kepada parameter Drain Characteristic, Electron Mobility dan Electron Velocity. Bagi perbandingan Drain Characteristic, Model Low Field Mobility punyai ID yang lebih tinggi iaitu sebanyak 0.00186A berbanding dengan yang lain. Keputusan ini kurang realistik tetapi apabila ia digabungkan dengan FLDMOB, keputusan yang diperolehi lebih realistic berbanding sebelumnya. Bagi perbandingan Electron Velocity, Model Inversion Layer lebih baik kerana ia memberikan nilai tetap berbanding Model Low Field Mobility kerna ia mengambil kira Transverse Field Effect dan juga Velocity Saturation dalam mereka model MOSFET. Semua perbandingan simulasi yang dibuat hanya menggunakan peranti NMOS sebagai bahan kajian.

Item Type: Academic Exercise
Uncontrolled Keywords: Inversion Layer Mobility Model, Low Field Mobility, Technology Computer Aided Design, comparison, Transverse Field Effect, Velocity Saturation
Subjects: Q Science > QA Mathematics > QA75 Electronic computers. Computer science
Divisions: SCHOOL > School of Engineering and Information Technology
Depositing User: MDM SITI AZIZAH IDRIS
Date Deposited: 21 Oct 2013 09:02
Last Modified: 17 Oct 2017 04:05
URI: http://eprints.ums.edu.my/id/eprint/7206

Actions (login required)

View Item View Item