Kajian ciri-ciri bahan talium galium antimonida, TIGaSb secara pengiraan numerikal

Muhammad Shuhir Mohamad, (2008) Kajian ciri-ciri bahan talium galium antimonida, TIGaSb secara pengiraan numerikal. Universiti Malaysia Sabah. (Unpublished)

[img]
Preview
Text
ae0000001944.pdf

Download (1MB) | Preview

Abstract

Disertasi ini bertujuan mengkaji ciri-ciri elektronik seperti jurang tenaga, ciri kekonduksian dan jenis sebatian untuk talium galium antimonida, TlxGaIâ‚‹xSb, di mana x adalah bersamaan dengan 0.1, 0.2, ... 1.0 dengan menggunakan EXCITING, iaitu satu perisian yang melakukan pengiraan menggunakan kaedah Density Functional Theory (DFT) dan Full-Potential Linearised Augmented Planewave (FP-LAPW). Adalah didapati bahawa sebatian TlxGaIâ‚‹xSb yang pada mulanya menunjukkan sifat semikonduktor jenis langsung apabila x bersamaan dengan 0.1, berubah menjadi semikonduktor tak langsung untuk nilai x dari 0.2 hingga 0.5, dan seterusnya berubah menjadi separuh logam untuk nilai x dari 0.6 bingga 1.0. Nilai jurang tenaga pula semakin mengecil dari 0.322 eV ke 0.291 eV untuk x dari 0 bingga 0.1, mengecil dari 0.252 eV ke 0.018 eV untuk x dari 0.2 hingga 0.5, dan terus mengecil dari -0.06 eV ke -0.373 eV untuk x dari 0.6 hingga 1.0.

Item Type: Academic Exercise
Uncontrolled Keywords: thallium gallium antimonide, compound type, conductivity, energy gap, Density Functional Theory, Full-Potential Linearised Augmented Planewave
Subjects: Q Science > QC Physics
Divisions: SCHOOL > School of Science and Technology
Depositing User: MDM SITI AZIZAH IDRIS
Date Deposited: 27 Feb 2014 03:02
Last Modified: 12 Oct 2017 04:02
URI: http://eprints.ums.edu.my/id/eprint/8327

Actions (login required)

View Item View Item