Simulasi fabrikasi dan pencirian diod p-n SI, GaAS dan SiGe dengan menggunakan perisian PISCES-II

Mohd. Syahri Simin, (2007) Simulasi fabrikasi dan pencirian diod p-n SI, GaAS dan SiGe dengan menggunakan perisian PISCES-II. Universiti Malaysia Sabah. (Unpublished)

[img]
Preview
Text
ae0000002175.pdf

Download (1MB) | Preview

Abstract

Tujuan utama desertasi kajian ini adalah untuk memfabrikasi diod p-n Si (Silikon), GaAs (Galium Arsenik) dan SiGe (Silikon Germanium) seeara simulasi dan juga mengkaji ciri-ciri elektrik arus-voltan (I-V) bagi diod p-n Si (Silikon), GaAs (Galium Arsenik) dan SiGe (Silikon Germanium) dengan pertambahan ketebalan bahagian p dan babagian n. Dalam kajian ini, perisian PISCES-II digunakan untuk proses simulasi. Segala kajian ini dijalankan dengan komputer berpangkalan WINDOWS. Perisian PISCES-II digunakan untuk mengenalpasti ciri-ciri arus-voltan bagi diod p-n Si (Silikon), GaAs (Galium Arsenik) dan SiGe (Silikon Germanium) dengan perubahan ketebalan bahagian n dan ketebalan bahagian p. Ketebalan bahagian p diubah dari 0.1μM ke 0.4 μm dan ketebalan bahagian n diubah dari 0.4 μm ke 0.1 μm. Keluaran arus bagi diod p-n SiGe adalah lebih besar berbanding diod p-n Si dan GaAs. Pada ketebalan bahagian p 0.2 μM dan bahagian n 0.3 μM, I-V maksimum berlaku pada diod p-n tersebut. Masalah yang didapati dalam proses simulasi ini adalah untuk menentukan jenis bahan dan kaedah yang perlu digunakan untuk tujuan fabrikasi.

Item Type: Academic Exercise
Uncontrolled Keywords: Gallium Arsenide, Silicon Germanium p-n diode, simulation fabricate, PISCES-II software, WINDOWS platform,
Subjects: T Technology > TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
Divisions: SCHOOL > School of Science and Technology
Depositing User: MDM SITI AZIZAH IDRIS
Date Deposited: 25 Apr 2014 00:51
Last Modified: 13 Oct 2017 03:19
URI: http://eprints.ums.edu.my/id/eprint/8851

Actions (login required)

View Item View Item