Mohd Hisam Ismail (2007) Kajian fabrikasi dan pencirian diod laser dengan menggunakan aluminium galium arsenik secara simulasi. Universiti Malaysia Sabah. (Unpublished)
|
Text
ae0000000052.pdf Download (4MB) | Preview |
Abstract
Diod laser merupakan peranti yang sangat penting dalam perkembangan teknologi visual dan sekarang sedang dimajukan untuk bidang telekomunikasi optik. Kajian ini dijalankan bertujuan untuk membina satu peranti diod laser berstruktur hetero dengan kadar yang mudah dan murah. Kaedah yang digunakan untuk membina peranti diod laser ini adalah dengan teknik fabrikasi clan pencirian secara simulasi menggunakan perisian ATLAS. Fabrikasi merupakan teknik pembuatan manakala pencirian adalah untuk menguji keberkesanan peranti diod laser ini dengan menilai keamatan cahaya, kuasa output cahayanya serta ciri-ciri arus-voltannya(1-V). Bagi mendapatkan output yang baik, analisis perbandingan sifat-sifat elektrik bagi diod laser dengan nilai ketebalan kawasan pancaran yang berbeza-beza daripada 0.1 μm sehingga 0.5μm dengan kenaikan 0.1 μm telah dijalankan. Hasil kajian menunjukkan perubahan nilai ketebalan kawasan pancaran memberikan nilai julat keamatan cahaya daripada 5.85e+07cd sehinggalah 9.35e+07cd. Daripada analisis yang dijalankan mendapati, nilai ketebalan kawasan pancaran setebal O. Ipm menberikan ciri-ciri kestabilan yang balk, dengan keamatan cahaya yang tinggi serta penggunaan nilai arus clan voltan yang paling minimum.
| Item Type: | Academic Exercise |
|---|---|
| Keyword: | Laser diode, Aluminum gallium arsenic |
| Subjects: | T Technology > TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering > TK1-9971 Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering > TK7800-8360 Electronics |
| Department: | SCHOOL > School of Science and Technology |
| Depositing User: | ADMIN ADMIN |
| Date Deposited: | 23 Mar 2011 11:39 |
| Last Modified: | 17 Oct 2017 13:45 |
| URI: | https://eprints.ums.edu.my/id/eprint/2179 |
Actions (login required)
 |
View Item |