Muhammad Shuhir Mohamad (2008) Kajian ciri-ciri bahan talium galium antimonida, TIGaSb secara pengiraan numerikal. Universiti Malaysia Sabah. (Unpublished)
|
Text
ae0000001944.pdf Download (1MB) | Preview |
Abstract
Disertasi ini bertujuan mengkaji ciri-ciri elektronik seperti jurang tenaga, ciri kekonduksian dan jenis sebatian untuk talium galium antimonida, TlxGaIâ‚‹xSb, di mana x adalah bersamaan dengan 0.1, 0.2, ... 1.0 dengan menggunakan EXCITING, iaitu satu perisian yang melakukan pengiraan menggunakan kaedah Density Functional Theory (DFT) dan Full-Potential Linearised Augmented Planewave (FP-LAPW). Adalah didapati bahawa sebatian TlxGaIâ‚‹xSb yang pada mulanya menunjukkan sifat semikonduktor jenis langsung apabila x bersamaan dengan 0.1, berubah menjadi semikonduktor tak langsung untuk nilai x dari 0.2 hingga 0.5, dan seterusnya berubah menjadi separuh logam untuk nilai x dari 0.6 bingga 1.0. Nilai jurang tenaga pula semakin mengecil dari 0.322 eV ke 0.291 eV untuk x dari 0 bingga 0.1, mengecil dari 0.252 eV ke 0.018 eV untuk x dari 0.2 hingga 0.5, dan terus mengecil dari -0.06 eV ke -0.373 eV untuk x dari 0.6 hingga 1.0.
| Item Type: | Academic Exercise |
|---|---|
| Keyword: | thallium gallium antimonide, compound type, conductivity, energy gap, Density Functional Theory, Full-Potential Linearised Augmented Planewave |
| Subjects: | Q Science > QC Physics |
| Department: | SCHOOL > School of Science and Technology |
| Depositing User: | SITI AZIZAH BINTI IDRIS - |
| Date Deposited: | 27 Feb 2014 11:02 |
| Last Modified: | 12 Oct 2017 12:02 |
| URI: | https://eprints.ums.edu.my/id/eprint/8327 |
Actions (login required)
 |
View Item |