Simulasi pergerakan ion hidrogen dalam silikon

Rashidah Nural Anuar (2008) Simulasi pergerakan ion hidrogen dalam silikon. Universiti Malaysia Sabah. (Unpublished)

	Text 24 PAGES.pdf Download (1MB)
	Text FULLTEXT.pdf Restricted to Registered users only Download (29MB)

Abstract

Disertasi ini membincangkan tentang pergerakan ion Hidrogen dalam Silikon pada sudut tuju, bilangan ion serta tenaga yang berbeza. Jumlah tenaga yang dipelbagaikan adalah pada lOkeV, lO0keV, lO00keV yang masing-masing mempunyai sudut tuju 0°, 30° dan 60° dengan jumlah ion 100, 1000 dan 1000 setiap satunya. Kaedah yang digunakan dalam projek ini adalah simulasi perisia computer SRIM dengan kaedah pengiraan TRIM. Kajian mengenai pergerakan ion ini merangkumi penelitian terhadap penilaian secara kuantitatif bagaimana ion hilang tenaga kepada pepejal, penyebaranion selepas berhenti dalam pepejal, kesan terhadap atom pepejal dari segi kerosakan kekisi Silikon, pengionan atom serta penghasilan fonon dalam Silikon apabila ion melaluinya. Melalui kajian ini didapati tiga factor utama tersebut mempengaruhi pergerakan ion Hidrogen dalam Silikon.

Item Type:	Academic Exercise
Keyword:	Ion hidrogen, Silikon, Pergerakan ion
Subjects:	Q Science > QC Physics > QC1-999 Physics
Department:	SCHOOL > School of Science and Technology
Depositing User:	DG MASNIAH AHMAD -
Date Deposited:	02 Oct 2023 15:12
Last Modified:	02 Oct 2023 15:12
URI:	https://eprints.ums.edu.my/id/eprint/37444

Actions (login required)

View Item