Rosman Lalete (2006) Comparison of the mobility models in mosfet. Universiti Malaysia Sabah. (Unpublished)
|
Text
ae0000001421.pdf Download (1MB) | Preview |
Abstract
Low Field Mobility dan Inversion Layer Mobility Model adalah antara jenis-jenis mobility model yang terdapat dalam perisian Technology Computer Aided Design ataupun dikenali sebagai TCAD. Di dalam tesis ini, perbandingan dan pengkajian telah dilakukan terhadap kedua-dua jenis mobility model ini. Program ATLAS digunakan untuk melakukan proses simulasi untuk memperolehi keputusan bagi setiap perbandingan parameter yang dibuat. Perbandingan yang dibuat adalah tertumpu kepada parameter Drain Characteristic, Electron Mobility dan Electron Velocity. Bagi perbandingan Drain Characteristic, Model Low Field Mobility punyai ID yang lebih tinggi iaitu sebanyak 0.00186A berbanding dengan yang lain. Keputusan ini kurang realistik tetapi apabila ia digabungkan dengan FLDMOB, keputusan yang diperolehi lebih realistic berbanding sebelumnya. Bagi perbandingan Electron Velocity, Model Inversion Layer lebih baik kerana ia memberikan nilai tetap berbanding Model Low Field Mobility kerna ia mengambil kira Transverse Field Effect dan juga Velocity Saturation dalam mereka model MOSFET. Semua perbandingan simulasi yang dibuat hanya menggunakan peranti NMOS sebagai bahan kajian.
| Item Type: | Academic Exercise |
|---|---|
| Keyword: | Inversion Layer Mobility Model, Low Field Mobility, Technology Computer Aided Design, comparison, Transverse Field Effect, Velocity Saturation |
| Subjects: | ?? QA75 ?? |
| Department: | SCHOOL > School of Engineering and Information Technology |
| Depositing User: | SITI AZIZAH BINTI IDRIS - |
| Date Deposited: | 21 Oct 2013 17:02 |
| Last Modified: | 17 Oct 2017 12:05 |
| URI: | https://eprints.ums.edu.my/id/eprint/7206 |
Actions (login required)
 |
View Item |