Soon, Zhan Pin (2007) Fabrikasi dan pencirian diod pin GaAs dengan menggunakan perisian athena dan atlas. Universiti Malaysia Sabah. (Unpublished)
|
Text
ae0000001918.pdf Download (1MB) | Preview |
Abstract
Tujuan utama disertasi ini adalah untuk menerangkan proses fabrikasi diod PIN galium arsenik secara simulasi. Terdapat dua perisian dalam CAD (Computer Aided Design) bagi menjalankan proses simulasi iaitu perisian ATHENA dan ATLAS. Perisian ATHENA berfungsi dalam penentuan proses fabrikasi dan pembinaan sintak: untuk menghasilkan struktur diod PIN galium arsenik. Manakala perisian ATLAS berfungsi untuk menjalankan proses pencirian struktur diod PIN galium arsenik yang telah dibina. Diod PIN galium arsenik yang mempunyai ciri arus-voltan dengan perubahan kepekatan jenis-n dari 1x10�¹cm�³ hingga lxl018cm-3, adalah lebih tinggi daripada perubahan kepekatan jenis-p dari 1x10¹�cm�³ hingga 1x10¹�cm�³. Ini bermaksud mobiliti elektron lebih tinggi daripada mobiliti lohong dalam galium arsenik iaitu 8500 cm²/v-s dan 400 cm²/v-s masing-masing. Diod PIN galium arsenik bagi pincang balikan mempunyai arus yang lebih tinggi berbanding pincang ke depan kerana lapisan intrinsik menjadi semakin lebar bagi mengawal voltan putus yang tinggi.
| Item Type: | Academic Exercise |
|---|---|
| Keyword: | ATLAS software, Gallium arsenide PIN diode, intrinsic layer, voltage, simulation process, electron mobility |
| Subjects: | T Technology > TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering |
| Department: | SCHOOL > School of Science and Technology |
| Depositing User: | SITI AZIZAH BINTI IDRIS - |
| Date Deposited: | 20 Feb 2014 11:19 |
| Last Modified: | 12 Oct 2017 11:46 |
| URI: | https://eprints.ums.edu.my/id/eprint/8279 |
Actions (login required)
 |
View Item |