Mohd. Syahri Simin (2007) Simulasi fabrikasi dan pencirian diod p-n SI, GaAS dan SiGe dengan menggunakan perisian PISCES-II. Universiti Malaysia Sabah. (Unpublished)
|
Text
ae0000002175.pdf Download (1MB) | Preview |
Abstract
Tujuan utama desertasi kajian ini adalah untuk memfabrikasi diod p-n Si (Silikon), GaAs (Galium Arsenik) dan SiGe (Silikon Germanium) seeara simulasi dan juga mengkaji ciri-ciri elektrik arus-voltan (I-V) bagi diod p-n Si (Silikon), GaAs (Galium Arsenik) dan SiGe (Silikon Germanium) dengan pertambahan ketebalan bahagian p dan babagian n. Dalam kajian ini, perisian PISCES-II digunakan untuk proses simulasi. Segala kajian ini dijalankan dengan komputer berpangkalan WINDOWS. Perisian PISCES-II digunakan untuk mengenalpasti ciri-ciri arus-voltan bagi diod p-n Si (Silikon), GaAs (Galium Arsenik) dan SiGe (Silikon Germanium) dengan perubahan ketebalan bahagian n dan ketebalan bahagian p. Ketebalan bahagian p diubah dari 0.1μM ke 0.4 μm dan ketebalan bahagian n diubah dari 0.4 μm ke 0.1 μm. Keluaran arus bagi diod p-n SiGe adalah lebih besar berbanding diod p-n Si dan GaAs. Pada ketebalan bahagian p 0.2 μM dan bahagian n 0.3 μM, I-V maksimum berlaku pada diod p-n tersebut. Masalah yang didapati dalam proses simulasi ini adalah untuk menentukan jenis bahan dan kaedah yang perlu digunakan untuk tujuan fabrikasi.
| Item Type: | Academic Exercise |
|---|---|
| Keyword: | Gallium Arsenide, Silicon Germanium p-n diode, simulation fabricate, PISCES-II software, WINDOWS platform, |
| Subjects: | T Technology > TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering |
| Department: | SCHOOL > School of Science and Technology |
| Depositing User: | SITI AZIZAH BINTI IDRIS - |
| Date Deposited: | 25 Apr 2014 08:51 |
| Last Modified: | 13 Oct 2017 11:19 |
| URI: | https://eprints.ums.edu.my/id/eprint/8851 |
Actions (login required)
 |
View Item |